Los FET GaN de canal N de Central Semicondcutor destacan en alta tensióne y baja rDS (ON), lo que los hace ideales para aplicaciones eficientes de conmutación suave. Los FET de GaN semiconductores centrales vienen en versiones de 100 V (60 A), 650 V (11 A) y 650 V (17 A). Los dispositivos están disponibles en prácticos paquetes de montaje en superficie, escala de chip y matriz simple.
