El MOSFET de SiC IXYS IXSA80N120L2-7 es un MOSFET de SiC de conmutación única de grado industrial que exhibe características de ciclo de potencia muy rápido y de baja pérdida y comportamiento de conmutación. Este MOSFET presenta bajas pérdidas de conducción, bajos requisitos de potencia de control de compuerta y bajo esfuerzo de gestión térmica y está optimizado para el control de compuerta. El MOSFET SiC IXSA80N120L2-7 se utiliza para fuentes de alimentación de modo de conmutación industriales de alta velocidad. Este MOSFET de SiC es ideal para inversores solares, fuentes de alimentación de modo conmutado, UPS, controladores de motores, convertidores CC/CC, infraestructura de carga de vehículos eléctricos y calentamiento por inducción.
