El FET de nitruro de galio (GaN) bidireccional GANB8R0-040CBA de Nexperia es un transistor de alta movilidad de electrones (HEMT) de GaN bidireccional de 40 V y 8,0 mΩ alojado en un paquete a escala de chip a nivel de oblea (WLCSP) compacto de 1,7 mm x 1,7 mm. Este dispositivo de modo de mejora normalmente apagado ofrece una velocidad de conmutación ultraalta y una baja resistencia en estado encendido, lo que hace que el Nexperia GANB8R0-040CBA sea ideal para aplicaciones que requieren una gestión de energía eficiente y una alta densidad de potencia. La capacidad bidireccional del dispositivo y su rendimiento superior lo hacen adecuado para su uso en interruptores de alta carga, protección contra sobretensiones y convertidores CC-CC.
