Los MOSFET de nivel lógico de canal N PXNx de Nexperia están diseñados para una gestión de energía de alta eficiencia en una variedad de aplicaciones. Estos MOSFET de Nexperia presentan una baja resistencia en estado encendido [RDS(on)] que va desde 2,8 mΩ a 14 mΩ y admiten voltajes de drenaje a fuente (VDS) de 60 V y 100 V. Estos MOSFET están optimizados para la compatibilidad a nivel lógico y son adecuados para rectificación sincrónica del lado secundario, convertidores CC-CC, controladores de motores, conmutación de carga e iluminación LED. Estos MOSFET están alojados en paquetes MLPAK33 y MLPAK56 térmicamente eficientes, que ofrecen un tamaño compacto y un rendimiento térmico mejorado. Con características como baja carga de compuerta (Qg) y alta robustez ante avalanchas, la serie PXNx garantiza un funcionamiento confiable en entornos exigentes.
