Los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de 150 V de Infineon Technologies presentan un RDS(on) bajo líder en la industria, un rendimiento de conmutación mejorado y un excelente comportamiento EMI, lo que contribuye a una eficiencia, densidad de potencia y confiabilidad inigualables. La tecnología OptiMOS 6 ofrece mejoras significativas respecto de su predecesora, OptiMOS 5, que incluyen hasta un 41 % menos de RDS(on), un 20 % menos de FOMg y un 17 % menos de FOMgd. Además, estos MOSFET presentan una alta robustez ante avalanchas y una temperatura de unión máxima de +175 °C, lo que garantiza un funcionamiento robusto y estable en entornos exigentes. Con una amplia cartera de paquetes, los MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 de 150 V de Infineon están diseñados para cumplir con los estrictos requisitos de las aplicaciones de frecuencia de conmutación alta y baja, proporcionando una mayor confiabilidad del sistema y una vida útil más prolongada.
