Los diodos de barrera Schottky (SBD) de carburo de silicio (SiC) de Sanan Semiconductor se desarrollan utilizando la avanzada tecnología SiC SBD de tercera generación de Sanan con alto rendimiento y confiabilidad. Estos SBD registran una mayor eficiencia, temperaturas de funcionamiento más altas y menores pérdidas y operan a frecuencias más altas que las soluciones basadas en Si. La estructura Schottky no presenta recuperación de apagado y permite una corriente de fuga baja con voltaje inverso de hasta 1200 V. Puede contribuir a la miniaturización del sistema y lograr un diseño de sistema liviano. Al utilizar componentes que cumplen con RoHS, los SBD de SiC de Sanan Semiconductor están calificados para aplicaciones industriales.
