BYC30Y 600P Diodo de potencia ultrarrápido de WeEn
WeEn Semiconductor pone a disposición a través de Mouser Eletronics este diodo de potencia con características que reduce las pérdidas en circuitos de conmutación con MOSFET e IGBT. La tensión inversa máxima es de 600 V y la corriente continua es de 30 A. La carcasa es IITO220-IL con dos terminales.
