BIMOSFET IGBT de Conducción inversa de Ixys
Este componente de alta tensión de Ixys, disponible en Mouser Electronics, combina las características de los IGBT con los MOSFET de accionamiento inverso. Los componentes se especifican para tensiones de 2500 y 3600 V y disparo con características MOS. Las aplicaciones incluyen fuentes de alimentación conmutadas, UPS, generadores láser y de rayos X, circuitos de pulso de alto voltaje e interruptores de CA.
