Los transistores CoolGaN™ G3 de Infineon Technologies están diseñados para ofrecer un rendimiento superior en aplicaciones de alta densidad de potencia. Estos transistores presentan una resistencia en estado encendido muy baja, lo que permite una conversión de energía eficiente y pérdidas de energía reducidas. El IGC019S06S1 funciona a 60 V con una resistencia en estado encendido de solo 1,3 mΩ, lo que lo hace ideal para aplicaciones de alta corriente. Los modelos IGC025S08S1 e IGC037S12S1 amplían el rango de voltaje a 80 V y 120 V, respectivamente, manteniendo resistencias bajas en estado encendido de 2,5 mΩ y 3,7 mΩ. Los tres modelos están alojados en paquetes PQFN compactos, que mejoran la gestión térmica y admiten refrigeración dual, lo que garantiza un funcionamiento confiable incluso en condiciones exigentes. Estas características hacen que los transistores CoolGaN G3 sean la mejor opción para aplicaciones como telecomunicaciones, fuentes de alimentación de centros de datos y sistemas de energía industriales.
