Los diodos de barrera Schottky RBLQ de ROHM Semiconductor cuentan con una estructura Trench MOS que brinda alta confiabilidad con bajas capacitancias, tensiones directas y corrientes inversas. Los diodos de barrera Schottky RBLQ moldeados por energía se empaquetan en estilos TO-252, SOD-128 o SOD-123FL. Las aplicaciones incluyen fuentes de alimentación conmutadas, diodos de rueda libre y protección contra polaridad inversa. Las opciones calificadas AEC-Q101 están disponibles.
