El MOSFET WLCSP RA1C030LD de ROHM Semiconductor es un MOSFET de canal N diseñado con una carcasa de alta potencia y baja resistencia. Este dispositivo tiene una tensión de fuente-drenaje de 20VDSS, corriente de drenaje continua de 3A y disipación de 1W. MOSFET RA1C030LD ofrece voltaje de accionamiento de 1,8 V, protección contra descargas electrostáticas (ESD) de hasta 200 V (MM) y hasta 2 kV (HBM). Este MOSFET es adecuado para circuitos de conmutación, aplicaciones de batería de celda única y aplicaciones móviles. MOSFET RA1C030LD no contiene plomo ni halógenos y cumple con RoHS.
