Los MOSFET de potencia de ultrajuntura IXYS IX4 son MOSFET de modo de mejora de canal N con clasificación de avalancha con una tensión de ruptura de fuente de drenaje de 200 V. Los MOSFET de potencia de ultrajuntura IXYS IX4 vienen en una carcasa TO-220 (IXTP). o TO-263 (IXTA) y proporciona una corriente de drenaje continua de 86 A o 94 A.
