ON Semiconductor Trench Los MOSFET de canal N de 6 MV son MOSFET de 30 V, 40 V y 60 V producidos mediante un proceso avanzado de zanja de potencia que incorpora la tecnología de puerta blindada. Este proceso se ha optimizado para minimizar la resistencia en el estado y aún, así mantener un rendimiento de conmutación superior con el mejor diodo de cuerpo blando de su clase.
