El circuito que se muestra en la figura se basa en el ST Microelectronics TDEO0160 (www.st.com) y consiste en un detector de proximidad que puede ser alimentado por tensiones de +4 a +36 V con un consumo de solo 1.2 ma. La resistencia a la pérdida es de 5 a 50 kOhms y la frecuencia del oscilador es de 1 MHz. Los transistores de salida tienen una capacidad de corriente de 20 mA con Vce (sat) de 1.1 A. El circuito está diseñado para detectar cuerpos de metal por el efecto de corrientes de remolino que causan pérdidas de HF detectadas por una bobina. El circuito tiene dos transistores de colector abierto complementarios y un límite de histéresis ajustable. Se incorpora un interruptor electrónico para proporcionar la señal de salida. El circuito integrado utilizado se suministra en un gabinete SO14 y, además, hay un diodo zener interno que mantiene constante la tensión del circuito. En la tabla damos los valores de los componentes para el circuito presentado. Se puede obtener información detallada para el proyecto e incluso otras configuraciones de circuito de la hoja de datos disponible en el sitio web de ST Microelectronics.
