MOSFET de canal N tipo trench Nexperia 2N7002H

 

Los MOSFET de trinchera de canal N Nexperia 2N7002H son MOSFET con transistores de efecto de campo (FET) en modo de enriquecimiento. El 2N7002H está alojado en un pequeño paquete de dispositivo de montaje en superficie (SMD) SOT23 de plástico. Los MOSFET cumplen con el nivel lógico, tienen una conmutación muy rápida y cuentan con la calificación AEC-Q101.

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