Diodos Schottky de Barrera de ROHM Semiconductor RBQxxBGE
Los diodos Schottky de barrera RBQxxBGE de ROHM Semiconductor cuentan con una estructura plana epitaxial de silicio y una tensión inversa de pico repetitivo de 45 V o 65 V. Los diodos de barrera Schottky RBQxxBGE ofrecen alta confiabilidad, IR bajo y cátodo de tipo dual común. Los diodos ROHM RBQxxBGE están diseñados para aplicaciones de fuentes de alimentación conmutadas.
